[发明专利]灵敏触发单向可控硅

摘要

本发明涉及一种灵敏触发单向可控硅，在P型阳极区上形成N型长基区，在P型阳极区的下表面设置阳极电极，在N型长基区上形成P型短基区，在P型短基区上局部形成N⁺型发射区并且局部设置门极电极，在N⁺型发射区上设置阴极电极，所述N型长基区和P型短基区上拥有内沟槽包围着所述P型短基区、N⁺型发射区、门极电极和阴极电极；在所述N型长基区和N⁺型发射区之间设置横向扩散电阻，在阴极电极的一侧，接近横向扩散电阻处设置扩散电阻连接点；当门极电极和阴极电极间有电流时，在横向扩散电阻上产生一个电压降，当电压降大于或等于P-N结的门坎电压时，可控硅触发。本发明具有很好的温度特性、触发电流分布较集中、开关速度高。

主权项

1、一种灵敏触发单向可控硅，在P型阳极区(1)上形成N型长基区(2)，在P型阳极区(1)的下表面设置阳极电极(A)，在N型长基区(2)上形成P型短基区(3)，在P型短基区(3)上局部形成N+型发射区(4)，并且，局部设置门极电极(G)，在N+型发射区(4)上设置阴极电极(K)，所述N型长基区(2)和P型短基区(3)上拥有内沟槽(5)，所述内沟槽(5)包围着所述P型短基区(3)、N+型发射区(4)、门极电极(G)和阴极电极(K)，其特征是：在所述N型长基区(2)和N+型发射区(4)之间设置横向扩散电阻(RGK)，在阴极电极(K)的一侧，接近横向扩散电阻(RGK)处设置扩散电阻连接点(6)；当门极电极(G)和阴极电极(K)间有电流(IG)时，在横向扩散电阻(RGK)上产生一个电压降(VR)，当电压降(VR)大于或等于P-N结的门坎电压时，可控硅触发。