[发明专利]离子束增强沉积制备氮化铜薄膜的方法无效
| 申请号： | 200810235537.0 | 申请日： | 2008-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101413104A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 袁宁一;丁建宁;李锋 | 申请（专利权）人： | 江苏工业学院 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/48;C23C14/06;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 213164*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子束增强沉积制备氮化铜薄膜的方法，将高纯度的铜作为溅射靶，并用纯N2或Ar∶N2为1∶5的混合高纯气体产生的混合离子束对沉积膜轰击，垂直注入到溅射沉积膜上，离子束的加速电压为10～50kV，束流强度为1～4mA，利用样品台的公转和样品自转实现均匀注入，保证薄膜在后续的结晶热处理后得到均匀的、高取向Cu3N多晶结构，通过在SiO2/Si衬底上同时沉积制备均匀、致密、与衬底粘附良好、电阻率大于1.0×103Ω·cm的氮化铜薄膜，满足工业化生产要求；且成膜温度很低，与半导体工艺兼容，没有废物排放。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 增强 沉积 制备 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种离子束增强沉积制备氮化铜薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)溅射靶选用高纯度的铜为靶材，将其固定在一个四方靶台上，溅射过程中通循环冷却水来对靶材制冷；(2)采用混合离子束进行增强沉积用步骤(1)的溅射靶溅射铜靶的同时，用纯氮或氩：氮＝1∶5的混合气体产生的混合离子束对沉积膜轰击，注入离子束的加速电压为10～50kV，束流强度为1～4mA；(3)膜的均匀性轰击离子源产生的氮或氩/氮混合束束径大于150mm、非均匀性小于15％、垂直注入到溅射沉积膜上，利用样品台的公转和样品自转实现均匀注入，得到氮化铜多晶结构，即离子束增强沉积氮化铜薄膜。
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