[发明专利]锗酸铜纳米线及其制备方法无效
申请号: | 200810235763.9 | 申请日: | 2008-12-05 |
公开(公告)号: | CN101434406A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 裴立宅;赵海生 | 申请(专利权)人: | 安徽工业大学 |
主分类号: | C01G17/00 | 分类号: | C01G17/00 |
代理公司: | 马鞍山市金桥专利代理有限公司 | 代理人: | 周宗如 |
地址: | 243002安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种锗酸铜纳米线及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明的锗酸铜纳米线由单晶态锗酸铜核及包裹在外层很薄的无定形锗酸铜壳层所组成,其制备方法是以二氧化锗和铜片为原材料,其中铜片同时作为沉积衬底,水为溶剂,首先将铜片在蒸馏水内超声清洗十分钟,然后将其固定于反应釜容器内,均匀搅拌,于温度200-500℃、压力1-15MPa下保温0-24小时,最终在铜片上得到锗酸铜纳米线。该制备方法无需添加生长模板,制备过程简单、易于操作控制;生长温度低,所以制备成本较低;本发明采用的是无毒的锗氧化物以及水热沉积过程,原料及制备过程均对环境无污染,符合环保要求,可实现锗酸铜纳米线的批量化制备。 | ||
搜索关键词: | 锗酸铜 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种锗酸铜纳米线,其特征在于该锗酸铜纳米线由平均直径约100nm的单晶态锗酸铜核及包裹在外层厚度低于2nm的无定形锗酸铜壳层所组成,所述单晶态锗酸铜为斜方结构。
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