[发明专利]一种多晶硅氢化炉用炭/炭发热体的制备方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅氢化炉用炭/炭发热体的制备方法，采用针刺平纹炭布准三向结构预制体；通过化学气相渗透致密预制体，反复致密处理数次；到密度≥1.30g/cm³时致密工艺结束，高温处理后进行机械加工，之后对其表面进行CVD涂层即可制得炭/炭发热体。本发明采用化学气相渗透的工艺方法致密制成炭/炭发热体，在用于多晶硅氢化炉用发热体方面，可有效的提高发热体的纯度和电阻，提高发热体的抗冲刷能力、耐腐蚀能力，延长发热体的使用寿命和降低发热体的更换率。

主权项

1. 一种多晶硅氢化炉用炭/炭发热体的制备方法，其特征在于制备过程为：(1)采用炭布与短炭纤维网胎交替叠层，构成平面纤维，在平面纤维的厚度方向采用针刺工艺引入垂直纤维，制成三向结构发热体预制体，预制体的密度为0.25～0.65g/cm3；(2)化学气相渗透致密工艺：采用石墨工装将步骤(1)中的三向结构发热体预制体内外定型，以丙烯或天然气为原料在高温850-1200℃下裂解，对三向结构发热体预制体进行气相渗透致密处理；(3)高真空度高温纯化处理工艺：步骤(2)中的三向结构发热体预制体的密度≥1.30g/cm3时，在真空感应炉中对所述三向结构发热体预制体进行高真空度高温纯化处理，所述高温是指温度为1500-2300℃，所述高真空度是指真空度≤40Pa；步骤(2)中的三向结构发热体的密度<1.30g/cm3时，重返步骤(2)；(4)机械加工工艺：对步骤(3)中经高真空度高温纯化处理的炭/炭发热体用铣床加工，钻床钻孔；(5)对步骤(4)中经机械加工后的炭/炭发热体表面进行化学气相沉积涂层处理，即制得高电阻和高纯度的多晶硅氢化炉用炭/炭发热体，所述高电阻是指电阻值为0.06～0.25Ω，所述高纯度是指灰分≤800ppm。