[发明专利]基于VSM磁化曲线的磁纳米粒子粒径表征方法有效
申请号: | 200810236859.7 | 申请日: | 2008-12-16 |
公开(公告)号: | CN101441162A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 刘文中 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01N15/02 | 分类号: | G01N15/02;G01B7/12 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 | 代理人: | 曹葆青 |
地址: | 430074湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于VSM磁化曲线的磁纳米粒子粒径表征方法,涉及纳米测试技术领域。本发明首先利用振动磁强计(VSM)获取磁纳米粒子胶体溶液的磁化曲线,再从中去除水基或者油基的磁化曲线,然后采用正则化的奇异值分解方法求解磁纳米粒子的粒径分布函数。本发明克服了现有技术采用奇异值分解方法所带来的虚假振荡现象,提高了粒径表征精度与稳定性。 | ||
搜索关键词: | 基于 vsm 磁化 曲线 纳米 粒子 粒径 表征 方法 | ||
【主权项】:
1、基于VSM磁化曲线的磁纳米粒子粒径表征方法,包括以下步骤:(1)利用振动磁强计(VSM)获取磁纳米粒子胶体溶液的磁化曲线MMNP(H),H为外加励磁磁场;(2)从磁化曲线MMNP(H)中去除水基或者油基的磁化曲线,得到修正磁化曲线M(H);(3)求解离散粒径点分布函数f(Dj)=VS-1U′M(Hi),Dj为对磁纳米粒子直径作离散化处理后得到的离散粒径点,Hi为对外加励磁磁场作离散化处理后得到的磁场离散点,M(Hi)为依据修正磁化曲线M(H)得到的离散点磁化曲线,U′为矩阵U的转置矩阵,U和V均为酉矩阵,S为对角矩阵,矩阵U、V和S是依据预定奇异值ε对矩阵A(i,j)作奇异值分解得到的矩阵,即USV′=A(i,j),其中,μ0为真空磁导率,Md为磁纳米粒子的饱和磁矩,π为圆周率,L()为郎之万方程,k为波尔兹曼常数,T为开氏温度,ΔD为对磁纳米粒子直径进行离散化的步长,Z为离散点励磁磁场Hi的取样点数,N为离散粒径点Dj的取样点数;(4)若离散粒径点分布函数f(Dj)为非负数且没有虚假振荡,结束;否则,进入步骤(5);(5)更新A(i,j)=εI+A(i,j)′A(i,j),M(Hi)=A(i,j)′M(Hi),A(i,j)′为矩阵A(i,j)的转置矩阵,I为单位矩阵,按照步骤(3)求解离散粒径点分布函数f(Dj)。
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