[发明专利]一种太阳电池用铜铟硒光电薄膜材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810237693.0 申请日: 2008-12-03
公开(公告)号: CN101630701A 公开(公告)日: 2010-01-20
发明(设计)人: 刘科高;项东;张保议;冯立明;李静;王志刚 申请(专利权)人: 山东建筑大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 代理人: 张建成
地址: 250101山东省济*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种太阳电池用铜铟硒光电薄膜材料的制备方法,属于太阳电池用光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先玻璃基片的清洗,然后将CuCl2.2H2O、InCl3.4H2O、SeO2放入溶剂中,并调整pH值至7.5,再烘干得到前驱体薄膜在放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,最后进行干燥,得到铜铟硒光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜铟硒光电薄膜有较好的连续性和均匀性,主相为CuInSe2相,这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构,为制备高性能的铜铟硒光电薄膜提供了一种成本低、可实现大规模的工业化生产。
搜索关键词: 一种 太阳电池 用铜铟硒 光电 薄膜 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种太阳电池用铜铟硒光电薄膜材料的制备方法,包括如下顺序的步骤:a.玻璃基片的清洗;b.将CuCl2.2H2O、InCl3.4H2O、SeO2放入25~100份的溶剂中,使溶液中的物质均匀混合,并调整PH值至7.5;c.制作外部均匀涂抹步骤b所述溶液的基片,并烘干,得到前驱体薄膜样品;d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触;e.将步骤d所得物,进行干燥,得到铜铟硒光电薄膜。
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