[发明专利]一种太阳电池用铜铟硒光电薄膜材料的制备方法无效
申请号: | 200810237693.0 | 申请日: | 2008-12-03 |
公开(公告)号: | CN101630701A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 刘科高;项东;张保议;冯立明;李静;王志刚 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 | 代理人: | 张建成 |
地址: | 250101山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种太阳电池用铜铟硒光电薄膜材料的制备方法,属于太阳电池用光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先玻璃基片的清洗,然后将CuCl2.2H2O、InCl3.4H2O、SeO2放入溶剂中,并调整pH值至7.5,再烘干得到前驱体薄膜在放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,最后进行干燥,得到铜铟硒光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜铟硒光电薄膜有较好的连续性和均匀性,主相为CuInSe2相,这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构,为制备高性能的铜铟硒光电薄膜提供了一种成本低、可实现大规模的工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 用铜铟硒 光电 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳电池用铜铟硒光电薄膜材料的制备方法,包括如下顺序的步骤:a.玻璃基片的清洗;b.将CuCl2.2H2O、InCl3.4H2O、SeO2放入25~100份的溶剂中,使溶液中的物质均匀混合,并调整PH值至7.5;c.制作外部均匀涂抹步骤b所述溶液的基片,并烘干,得到前驱体薄膜样品;d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触;e.将步骤d所得物,进行干燥,得到铜铟硒光电薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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