[发明专利]用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构有效
| 申请号： | 200810238814.3 | 申请日： | 2008-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101425505A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 范雪梅;赵超荣;杜寰;胡云中;雒建斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构，所述电路版图结构包括一组独立的铜引线十字单元阵列，所述独立十字单元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成，每个独立十字单元由等臂十字结构的铜引线构成。本发明可以用于电学测量铜引线在CMP过程后是否产生凹形坑。此方法结构简单，占用版图面积小，便于嵌入版图中，实验测量方便。采用这种电学方法来测量，不受线条尺寸的影响，可以方便地对整个芯片进行测量，很好地验证芯片CMP的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 引线 是否 产生 凹型坑 电路 版图 结构 | ||
【主权项】：
1、一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构，其特征在于：所述电路版图包括一组独立的铜引线十字单元阵列，所述独立十字单元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成，每个独立十字单元由等臂十字结构的铜引线构成。
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