[发明专利]一种提高单畴YBCO超导块临界电流的方法无效
| 申请号： | 200810238963.X | 申请日： | 2008-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101429019A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 燕青芝;焦玉磊;肖玲;郑明辉;冯巧;商敏;葛昌纯 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/45 | 分类号： | C04B35/45;C04B35/622;H01B12/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高单畴YBCO超导块临界电流的方法，属于功能材料领域。其特征是在单畴YBCO超导块先驱粉中掺杂粒径20～100nm的SiO2纳米粉末，将SiO2纳米粉末按相对于YBCO超导块先驱粉的0.02～1wt％的比例加入该先驱粉末中，经球磨混合均匀后，用单轴模压成型，再采用顶部籽晶辅助熔融织构生长工艺(TSMTG)生成单畴结构的YBCO超导块。SiO2纳米粉末的制备工艺为：将正硅酸四乙酯、无水乙醇和去离子水按体积比1∶1-3∶1-3配成清澈透明溶液，经水浴、搅拌形成乳白色凝胶；再经形成干凝胶后研磨成细粉，经400-700℃焙烧0.5-2.5小时即得到粒径20～100nm的SiO2纳米粉末。本发明有效提高了单畴YBCO超导块材宽场范围内的临界电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 ybco 超导 临界 电流 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高单畴YBCO超导块临界电流的方法，其特征是在单畴YBCO超导块先驱粉中掺杂粒径20～100nm的SiO2纳米粉末，将SiO2纳米粉末按相对于YBCO超导块先驱粉的0.02～1wt％的比例加入单畴YBCO超导块先驱粉末中，经球磨混合均匀后，用单轴模压成型，再采用顶部籽晶辅助熔融织构生长工艺生成单畴结构的YBCO超导块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810238963.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
