[发明专利]具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪有效
| 申请号： | 200810239334.9 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101750446A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 杨海钢;吴其松;崔秀海 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01N27/416 | 分类号： | G01N27/416 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪，涉及传感器微弱电流检测技术，包括一个跨导运算放大器(OTA)，一个NMOS管，一个用于快速充电的开关，片内和片上稳压和滤噪声电容。跨导放大器(OTA)输出端接NMOS的栅极，NMOS的源极接运算放大器的反相输入端，组成一个电流传输器，NMOS漏极作为恒电位仪的输出端；开关跨接在跨导放大器的正、反相输入端，开关的控制端接系统的置位端。本发明能增强传感器工作电极电压的稳定，并能使电路在检测任何大小的电流时都能快速进入检测状态，本发明的恒电位仪使NMOS漏端更接近理想的恒流源输出。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 快速 稳定 特性 互补 金属 氧化物 半导体 电位 | ||
【主权项】：
一种具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪，适用于安培型传感器，包括一个OTA，一个NMOS管，其中NMOS管的栅极接OTA的输出端，源极接OTA的反向输入端，组成一个电流传输器结构，NMOS管的漏极作为恒电位仪的输出端，传感器微电极产生的电流信号将由OTA的反相输入端进入恒电位仪，经过NMOS管后从漏端输出进入后续电流信号处理电路；其特征在于，还包括一个跨接在OTA正反相输入端上的开关和二个稳压补偿电容。
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