[发明专利]一种去除正面化学气相沉积层二氧化硅膜的方法有效
| 申请号： | 200810239404.0 | 申请日： | 2008-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101752243A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘佐星;孙洪波 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种去除正面化学气相沉积层二氧化硅膜的方法，该方法是首先将硅片用真空吸盘固定好，采用人工贴附的方法将环形塑料蓝膜粘附到硅片和吸盘表面，将硅片不需要去除背封SiO2膜的部分保护起来，然后将其置于HF酸蒸汽中，去除正面背封二氧化硅膜。本发明的优点是：由于蓝膜边缘粘附于吸盘的表面，将硅片的背面与HF蒸汽源完全隔绝，可以精确控制HF酸蒸汽的去除时间，以完全去除正面的SiO2膜，而不至于影响到背面的SiO2膜；放弃使用蜡液，从而避免蜡蒸汽对环境的影响；易于操作，将大大提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 正面 化学 沉积 二氧化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种去除正面化学气相沉积层二氧化硅膜的方法，其特征在于：首先将硅片用真空吸盘固定好，采用人工贴附的方法将环形塑料蓝膜粘附到硅片和吸盘表面，将硅片不需要去除背封SiO2膜的部分保护起来，然后将其置于HF酸蒸汽中，去除正面背封二氧化硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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