[发明专利]芯片微裂纹的片上探测方法及电路无效
| 申请号： | 200810239497.7 | 申请日： | 2008-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101750566A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 周建锁;陈大立;刘华茂 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/02 | 分类号： | G01R31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100102 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 在芯片制造或加工过程中，芯片将不可避免地受到外力作用，可能产生微裂纹，但它们不能通过测试筛选出来，从而成为合格品。随着芯片产品的运输和使用，微裂纹可能导致芯片失效，或者导致芯片性能下降，进而影响芯片工作，甚至对系统产生损害。本发明提出了在芯片上集成微裂纹探测电路的方法及电路实现，可以根据芯片应用的需要对微裂纹探测电路输出信号进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 裂纹 探测 方法 电路 | ||
【主权项】：
一种芯片微裂纹探测方法，其特征在于：(1)用芯片片上电子电路对芯片物理版图的有效图形四周的微裂纹进行探测；(2)在芯片物理版图上位于有效图形和划片线之间的位置和(或)其纵向位置上，基于芯片制造工艺，用一层导体或多层纵向的导体作为导线进行布局，用于敏感微裂纹，且每一层上布局一条或多条导线用于敏感微裂纹；(3)当微裂纹导致一条或多条导线发生断裂时，与相应导线相连接的电子电路的输出逻辑状态会发生变化，即由没有检测到微裂纹时设定的高电平变为低电平，或由没有检测到微裂纹时设定的低电平变为高电平；(4)对敏感微裂纹的导线进行合理布局，根据与相应导线相连接的电子电路的输出逻辑状态可判定是否检测到了微裂纹，以及微裂纹发生的位置。
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