[发明专利]一种硅纳米光波导与光纤的耦合封装方法有效
| 申请号： | 200810239885.5 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101533128A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 申华军;周静涛;刘新宇;吴德馨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光集成芯片的耦合封装技术领域的一种硅纳米光波导与光纤的耦合封装方法。为了实现硅纳米光波导与光纤的高效光耦合与简便封装，本发明提供一种硅纳米光波导和光纤的耦合封装方法，利用倒锥型模斑转换器实现硅纳米光波导中的小尺寸模斑向光纤的大尺寸模斑转换，并利用V型光纤定位槽的自对准特性实现硅纳米光波导与光纤的对准耦合和简便封装。本发明中倒锥形模斑转换器高效、宽带光耦合特性和光模场尺寸转换能力与SOI衬底特性、V型光纤定位槽相结合，实现波导与光纤的精确中心对准和高效光耦合，且光纤的固定封装工艺简便，非常适用于实际生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 波导 光纤 耦合 封装 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅纳米光波导和光纤的耦合封装方法，其特征在于：通过SOI衬底上的倒锥型模斑转换器将硅纳米光波导的小尺寸模斑转换成光纤的大尺寸模斑，并通过SOI衬底上的V型光纤定位槽将光纤与硅纳米光波导对准耦合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810239885.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：影像合成组件和液晶投影装置
- 下一篇：一种集成启动电机线电压过零检测装置
