[发明专利]一种用于高介电常数栅介质的外延薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810239915.2 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101752410A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 杜军;魏峰;屠海令;王毅;岳守晶 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于新一代集成电路场效应管中高介电常数(高k)栅介质的材料及其制备方法。该用于高介电常数栅介质的外延薄膜材料，是在Si(001)衬底上单一高取向外延薄膜，该薄膜为具有焦绿石相结构的单晶态铪镧复合氧化物La2Hf2O7，该薄膜与Si(001)衬底的晶体学取向关系为La2Hf2O7(001)//Si(001)。此方法涉及通过反应烧结的方法获得具有焦绿石相的铪镧复合氧化物(La2Hf2O7)陶瓷靶材，然后采用激光分子束沉积技术，在超高真空的条件下在Si(001)衬底沉积获得表面光滑、界面平整的单一高取向外延薄膜。用来应用于新一代集成电路中场效应管的栅介质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 介电常数 介质 外延 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于高介电常数栅介质的外延薄膜材料，其特征在于，是在Si(001)衬底上单一高取向外延薄膜，该薄膜为具有焦绿石相结构的单晶态铪镧复合氧化物La2Hf2O7，该薄膜与Si(001)衬底的晶体学取向关系为La2Hf2O7(001)//Si(001)。
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