[发明专利]一种低成本快速制备过共晶铝硅合金棒坯的方法有效

专利信息
申请号: 200810239936.4 申请日: 2008-12-15
公开(公告)号: CN101745620A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 徐骏;陈春生;张志峰;梁博;石力开 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院
主分类号: B22D11/115 分类号: B22D11/115;B22D11/18;B22D11/11;C22C1/00
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 朱琨
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了属于金属材料加工技术领域的一种低成本快速制备过共晶铝硅合金棒坯的方法。该方法具体工艺为:在惰性气体保护下对过共晶铝硅合金进行熔炼;在高温条件下采用复合变质精炼熔体;然后对熔体进行除气处理;最后采用电磁搅拌方法进行快速半连续铸造。采用该方法可以制备高性能、大尺寸,并且初生硅晶粒细小、分布均匀的过共晶铝硅合金棒坯。该方法工艺简单,成本低廉,并且具有较高的生产效率,适合大规模工业生产。
搜索关键词: 一种 低成本 快速 制备 共晶铝硅 合金 方法
【主权项】:
一种低成本快速制备过共晶铝硅合金棒坯的方法,其特征在于,具体制备工艺为:(1)在惰性气体保护下,将过共晶铝硅合金置于电阻加热炉或电磁感应加热炉中熔化成合金熔体,当熔体温度上升到830~900℃时将其转移到中间包内,添加熔体清渣剂,充分搅拌并保温20~30分钟后扒去浮渣;(2)当熔体温度降到800~820℃时,添加质量百分比为1‰~6‰的变质剂,搅拌均匀,保温20~50分钟;(3)当熔体温度降到780~800℃时,添加质量百分比为2‰~10‰的精炼剂,充分搅拌,保温15~20分钟后扒去浮渣;(4)对合金熔体进行除气处理:向熔体中通入气压为0.01MPa的气体,保温10~15分钟,除气完毕后熔体静置孕育30~40分钟;(5)加热熔体到浇注温度后采用电磁搅拌方法进行半连续铸造。
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