[发明专利]一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法，包括：清洗干净柔性塑料衬底；使用光刻和剥离工艺在塑料衬底上制备出器件的栅电极；在器件区域内通过接触式微区旋涂在栅电极上涂敷有机栅介质；烘烤有机栅介质，在有机栅介质上光刻出源漏电极的图形；再次蒸镀金属电极，该电极引线直接从源漏电极上跨过栅介质边缘连到塑料衬底上；剥离光刻胶后得到图形化了的全有机场效应晶体管器件的电极图；真空蒸镀有机半导体层，完成器件的制作。利用本发明，在工艺上是与成熟的光刻工艺相兼容，且工艺过程中回避了制作过孔的过程，简化了工艺流程从而保证了器件的性能。

主权项

一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、清洗干净柔性塑料衬底；步骤2、使用光刻和剥离工艺在塑料衬底上制备出器件的栅电极；步骤3、在器件区域内通过接触式微区旋涂在栅电极上涂敷有机栅介质；步骤4、烘烤有机栅介质，在有机栅介质上光刻出源漏电极的图形；步骤5、再次蒸镀金属电极，该电极引线直接从源漏电极上跨过栅介质边缘连到塑料衬底上；步骤6、剥离光刻胶后得到图形化了的全有机场效应晶体管器件的电极图；步骤7、真空蒸镀有机半导体层，完成器件的制作。