[发明专利]采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；光刻得到栅电极图形；蒸发或沉积金属电极材料；用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；在栅电极上蒸发或沉积一层绝缘介质层材料；在绝缘介质层材料上匀胶后光刻得到器件源漏电极的图形；再次蒸发或沉积金属电极材料，剥离后得到器件的源漏电极图形；沉积生长有机半导体薄膜，完成有源层图形化的有机场效应晶体管的制备。利用本发明，对有源层的图形化工艺简单，没有增加光刻步骤，主要依靠栅介质的台阶特性实现器件隔离和有源层的图形化。另外，本方法也与成熟的光刻工艺兼容，降低了成本，有利于工业生产。

主权项

一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在绝缘衬底上涂敷光刻胶；步骤2、光刻得到栅电极图形；步骤3、蒸发或沉积金属电极材料；步骤4、用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；步骤5、在栅电极上蒸发或沉积一层绝缘介质层材料；步骤6、在绝缘介质层材料上匀胶后光刻得到器件源漏电极的图形；步骤7、再次蒸发或沉积金属电极材料，剥离后得到器件的源漏电极图形；步骤8、沉积生长有机半导体薄膜，完成有源层图形化的有机场效应晶体管的制备。