[发明专利]一种实时监测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法无效
| 申请号： | 200810240124.1 | 申请日： | 2008-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101750436A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 周志文;曾祥斌;宋佩珂 | 申请（专利权）人： | 广东志成冠军集团有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 523718 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种实时检测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法，在非晶硅薄膜晶化过程中实时采集非晶硅薄膜的电压电流值，并以此计算出非晶硅薄膜晶化过程中的电阻值，根据电阻值和退火时间实时绘制电阻-时间曲线，通过实时绘制的电阻-时间曲线判断非晶硅薄膜的晶化进程。本发明实施简单，并且可以在非晶硅薄膜晶化的过程中反映其晶化程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实时 监测 非晶硅 薄膜 金属 诱导 方法 | ||
【主权项】：
一种实时监测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法，其特征在于，在非晶硅薄膜退火晶化过程中实时采集非晶硅薄膜的电压电流值，并以此计算出非晶硅薄膜晶化过程中的电阻值，根据电阻值和退火时间实时绘制电阻-时间曲线，通过实时绘制的电阻-时间曲线判断非晶硅薄膜的晶化进程。
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