[发明专利]应力状态下纳米材料力电性能与显微结构测量装置和方法有效

专利信息
申请号: 200810240516.8 申请日: 2008-12-19
公开(公告)号: CN101464244A 公开(公告)日: 2009-06-24
发明(设计)人: 韩晓东;刘攀;张跃飞;岳永海;张泽 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G01N13/10 分类号: G01N13/10;G01B15/06
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 代理人: 刘 萍
地址: 100124*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种在透射电子显微镜中原位测量纳米材料力电性能的装置及方法。本发明利用光刻技术制作纳米材料样品,将其转移、固定到双金属片载网上,在双金属片上镀一层金属薄膜作为电极,用导线将电极引到透射电镜样品杆上,对绝缘环加热和对金属薄膜通电,使载网中的双金属片发生热膨胀弯曲变形,实现对固定在双金属片上的纳米材料拉伸或压缩变形,可以在原子点阵分辨率下,原位测量应力状态下单体纳米材料力电学性能与显微结构的相关性。本发明提供了一种针对目前半导体及信息工业占统治地位的自上而下技术(Top-Down)的有效而简单的应力状态下单体纳米材料原位实时动态的力学-电学-显微结构相关性测量的装置与方法。
搜索关键词: 应力 状态 纳米 材料 性能 显微结构 测量 装置 方法
【主权项】:
1. 应力状态下纳米材料力电性能与显微结构测量装置,其特征在于:在一个表面镀绝缘漆的金属绝缘环上放置两个双金属片,所述的两个双金属片平行或呈V字形放置在金属绝缘环的同一平面上,每个双金属片的一端固定在金属绝缘环上面,另一端悬空在金属绝缘环内,两个双金属片的距离控制在0.002-1mm。
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