[发明专利]一种非制冷红外图像传感器芯片及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810240594.8 申请日: 2008-12-25
公开(公告)号: CN101439841A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 张霞;张大成 申请(专利权)人: 中国传媒大学;北京大学
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;G01J5/10;B81C1/00
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所 代理人: 贾晓玲
地址: 100024*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种非制冷红外图像传感器芯片,属于红外图像传感器的制备技术领域。该非制冷红外图像传感器芯片包括一传感器基片,在所述传感器基片上集成若干个红外敏感像素单元阵列,每个红外敏感像素单元包括一组弹性悬挂梁和一红外敏感谐振体,所述弹性悬挂梁通过锚点固定在传感器基片上,红外敏感谐振体与上述弹性悬挂梁相连,所述红外敏感谐振体由谐振膜片和激振电极构成,在所述谐振膜片上局部叠置一与谐振膜片的热膨胀系数不同的红外敏感材料层。本发明红外敏感像素单元采用红外敏感谐振体,工艺简单,易于获得较高的成品率,实现了在一个芯片上制造阵列式非制冷红外图像传感器。
搜索关键词: 一种 制冷 红外 图像传感器 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种非制冷红外图像传感器芯片,包括一传感器基片,在所述传感器基片上集成若干个红外敏感像素单元阵列,其特征在于,每个红外敏感像素单元包括一组弹性悬挂梁和一红外敏感谐振体,所述弹性悬挂梁通过锚点固定在传感器基片上,红外敏感谐振体与上述弹性悬挂梁相连,所述红外敏感谐振体包括一谐振膜片和一激振电极,在所述谐振膜片上局部设置一与谐振膜片的热膨胀系数不同的材料层。
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