[发明专利]一种阻止小磁体在气相沉积薄膜过程中产生凸起的方法有效
| 申请号： | 200810240986.4 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101760722A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王湛;陈国安;王浩颉;钮萼;李正;饶晓雷;胡伯平 | 申请（专利权）人： | 北京中科三环高技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/14;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京乾诚五洲知识产权代理有限责任公司 11042 | 代理人： | 付晓青;李广文 |
| 地址： | 100190 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阻止小磁体在气相沉积薄膜过程中产生凸起的方法，该方法包括：喷砂处理：对磁体的表面进行喷砂处理；混料：将填料和磁体按比例混合后装入滚筒；抽真空：将滚筒放入真空室抽真空；离子轰击和蒸发镀铝Al：对蒸发源进行离子轰击，并转动滚筒对磁体进行蒸发镀铝。根据本发明，通过在镀膜前控制磁体表面的粗糙度、选择理想的填料、控制滚筒的转速以及蒸发源到滚筒的距离等方法解决了小磁体产品滚镀过程中产生凸起的现象。本发明无需对设备进行复杂改动，同时保证了良好的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻止 磁体 沉积 薄膜 过程 产生 凸起 方法 | ||
【主权项】：
一种阻止小磁体在气相沉积薄膜过程中产生凸起的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)喷砂处理：对磁体的表面进行喷砂处理，喷砂处理后磁体的表面粗糙度Ra为0.8μm～25μm；(2)混料：将填料和磁体按比表面积比为1∶2～1∶4混合后装入滚筒；(3)抽真空：将滚筒放入真空室抽真空；(4)离子轰击和蒸发镀铝：对蒸发源进行离子轰击，并转动滚筒对磁体进行蒸发镀铝；其中，在蒸发过程中，蒸发源在与地面垂直方向上的蒸发距离随时间做匀速往复运动周期性变化；在蒸发镀铝过程中，滚筒转速随时间做匀速周期性变化。
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