[发明专利]一种单晶型结型场效应管器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种单晶型结型场效应管器件，其包括第一型杂质衬底及在第一型杂质衬底上形成的结型场效应管、泄漏电流补偿单元及正向箝位二极管单元，所述泄漏电流补偿单元及正向箝位二极管单元连接在结型场效应管的任意两极之间。为了使传声器管适应于特殊条件下的应用，还必须增添有正向箝位二极管和泄漏电流补偿器件，这样传声器才会有较好的线性度与减压特性。本发明在单晶衬底上实现结型场效应管、高阻多晶电阻、二极管的单片集成，由于没有采用外延工艺，因此芯片具有较低的成本。

主权项

1、一种单晶型结型场效应管器件，其特征在于，包括第一型杂质衬底(1)及在第一型杂质衬底(1)上形成的结型场效应管(20)、泄漏电流补偿单元(8)及正向箝位二极管单元(9)，所述泄漏电流补偿单元(8)及正向箝位二极管单元(9)连接在结型场效应管(20)的任意两极之间。