[发明专利]一种大功率正装LED芯片结构无效
| 申请号： | 200810241675.X | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101929610A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 吴大可;朱国雄;张坤 | 申请（专利权）人： | 深圳世纪晶源华芯有限公司 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V7/22;F21V29/00;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518107 广东省深圳市光明新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种大功率正装LED芯片结构，包括透明钝化层、P压焊点、透明电极层、N电极、LED外延层、蓝宝石衬底、反射及焊料层，其中：所述的反射及焊料层表面上通过光学镀膜的方式形成有DBR光学反射层，所述的反射及焊料层底部设置有一高导热基座层；本发明所述的大功率正装LED芯片通过采用导热基座和DBR光学反射膜的结合，解决了大功率LED芯片在高电流密度小所遇到的散热及提高出光效率的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种大功率正装LED芯片结构，包括透明钝化层、P压焊点、透明电极层、N电极、LED外延层、蓝宝石衬底、反射及焊料层，其特征在于：所述的反射及焊料层表面上通过光学镀膜的方式形成有DBR光学反射层，所述的反射及焊料层底部设置有一高导热基座层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳世纪晶源华芯有限公司，未经深圳世纪晶源华芯有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810241675.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：承压水箱及其制造方法
- 下一篇：一种双向密封蝶阀
