[发明专利]管式炉固体渗硅工艺无效
| 申请号： | 200810242453.X | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101503788A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 顾啸强 | 申请（专利权）人： | 苏州市万泰真空炉研究所有限公司 |
| 主分类号： | C23C10/44 | 分类号： | C23C10/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200江苏省吴江市吴江松陵*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 箱式炉固体渗硅法是热处理行业领域的一种用固体渗硅的方法。在工件表面渗硅可提高其在硫酸、硝酸、海水及大多数盐，稀碱液中的耐蚀性能，去在170-200℃油中浸后有较好的减磨性。目前主要采用液体渗硅，等离子渗硅，工艺比较复杂，成本高。该工艺主要由箱式加热炉，箱体作为工具，将工件放入箱体中加入粉末渗硅剂，其配方如下：20％硅铁粉+61％氧化铁+4％氧化铵+15％氧化铝。将上述粉末渗剂将工件包围压实，升温至1120℃保温1小时左右即可。 | ||
| 搜索关键词： | 管式炉 固体 工艺 | ||
【主权项】：
1. 用箱式电阻炉渗硅将配制好的粉末放入工件内升温到1100℃。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C10-00 金属材料表面中仅渗入金属元素或硅的固渗
C23C10-02 .被覆材料的预处理
C23C10-04 .局部表面上的扩散处理，例如使用掩蔽物
C23C10-06 .使用气体的
C23C10-18 .使用液体，例如盐浴、悬浮液的
C23C10-28 .使用固体，例如粉末、膏剂的
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