[发明专利]一种制备有机半导体材料红荧烯微-纳米线的方法无效
| 申请号： | 200810243123.2 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101476103A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 曾雄辉;徐科;张锦平;张露;黄凯 | 申请（专利权）人： | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/04;C23C14/26;H01L51/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备有机半导体材料红荧烯微-纳米线的方法，其特征在于：以红荧烯为蒸镀原料，以洁净硅片或物理气相传输方法生长成的并四苯单晶体为衬底，采用真空蒸镀的方式制备，并在控制沉积速率和蒸镀时间的条件下，在所述半导体衬底上沉积形成具有规格尺寸的红荧烯微-纳米线。本发明提供的制备方法，其投入应用后：由于采用了可以精确控制蒸镀红荧烯沉积速率及蒸镀时间的真空蒸镀方法，从而可以精确控制红荧烯微-纳米线的尺寸大小，同时简化了制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 有机 半导体材料 红荧烯微 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制备有机半导体材料红荧烯微-纳米线的方法，其特征在于：以红荧烯为蒸镀原料，在半导体衬底上采用真空蒸镀的方式制备，并在控制沉积速率和蒸镀时间的条件下，在所述半导体衬底上沉积形成具有规格尺寸的红荧烯微-纳米线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810243123.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于烟气脱汞的载硫活性炭及其制备方法
- 下一篇：油棕丝处理方法
- 同类专利
- 专利分类
