[发明专利]低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的方法及装置有效
| 申请号： | 200810243655.6 | 申请日： | 2008-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101433890A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 任向东;张衡;左云翔 | 申请（专利权）人： | 江阴海润太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | B05D1/02 | 分类号： | B05D1/02;B05D7/24;B05D3/00;B05C5/02;B05C11/10 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214408江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的方法及装置，所述方法包括工艺过程如下：将粒径5～200微米的氮化硅颗粒和去离子水搅拌成乳浆状溶液并保持在喷涂过程中不断搅拌，该溶液在内外压差作用下经雾化头形成氮化硅雾，在低压(10～100Pa)下该雾均匀连续的喷涂到石英坩埚内壁上，水份被烘干后即形成干燥的1～2mm氮化硅薄层，再将涂有在氮化硅涂层的石英坩埚在950～1050℃下进行烧结，形成结构更加致密的氮化硅层。本发明能制备厚度均匀、污染小、结构致密的氮化硅层，且能减少环境污染及减少对作业人员健康危害。 | ||
| 搜索关键词： | 压下 石英 坩埚 壁上 喷涂 氮化 涂层 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的方法，其特征在于：所述方法包括工艺过程如下：将粒径5～200微米的氮化硅颗粒和去离子水搅拌成乳浆状溶液并保持在喷涂过程中不断搅拌，该溶液在内外压差作用下经雾化头形成氮化硅雾，在10～100Pa低压下该雾均匀连续的喷涂到石英坩埚内壁上，水份被烘干后即形成干燥的1～2mm氮化硅薄层，再将涂有在氮化硅涂层的石英坩埚在950～1050℃下进行烧结，形成结构更加致密的氮化硅层。
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