[发明专利]一种一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器

摘要

本发明公开了一种一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器，特征在于：第1二氧化硅层厚度为195(1+Δ₁)nm，第3二氧化硅层厚度为390(1+Δ₁/2)nm，第9二氧化硅层厚度为390(1+Δ₂/2)nm，第2硅层厚度为170(1+Δ₁)nm，第10硅层厚度为170(1+Δ₂)nm，其中Δ₁和Δ₂为数学小量，0.08≤Δ₁≤0.12，0.06≤Δ₂≤0.16。本发明提出的改进型一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器解决了现有技术的一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器在锑化镓电池特征波长附近对有效辐射光子的较强反射作用的问题，从而可提高热光伏系统的光谱效率20.1％-5.9％，可增加输出电功率密度14.8％-5.3％。

主权项

1、一种一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器，在光学基片上沉积共10层依次交替的硅层和二氧化硅层形成，第5和第7层二氧化硅的厚度分别为390nm，第4、6、8硅层厚度都为170nm，其特征在于：第1二氧化硅层厚度为195(1+Δ1)nm，第3二氧化硅层厚度为390(1+Δ1/2)nm，第9二氧化硅层厚度为390(1+Δ2/2)nm，第2硅层厚度为170(1+Δ1)nm，第10硅层厚度为170(1+Δ2)nm，其中Δ1和Δ2为数学小量，0.08≤Δ1≤0.12，0.06≤Δ2≤0.16。