[发明专利]一种背点接触异质结太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明涉及一种背点接触异质结太阳能电池及其制造方法，其特征在于：它分为多个单元，每个单元采用P型或N型单晶硅片作为硅衬底作为电池的基区；硅衬底的背表面由内至外依次制备钝化层和铝层，在铝层表面形成点接触基区电极；硅衬底的正表面沉积非晶层作为电池的发射区；非晶层表面有透明导电薄膜及其上设置的发射区电极；使用时将每个单元的基区电极和发射区电极分别通过导线连接用电设备的正极和负极。本发明硅衬底的背表面由于采用激光加热技术实现的点接触基区电极，不但起到钝化及降低电极欧姆接触的作用，而且避免了常规电池中的高温烧结复杂工艺，对环境洁净度的要求低，因此对衬底的要求不高，可采用市售常规单晶片。

主权项

1、一种背点接触异质结太阳能电池，其特征在于：它包括多个结构相同的连接在一起的单元，每个所述单元采用P型或N型单晶硅片作为硅衬底作为太阳能电池的基区；所述硅衬底的背表面由内至外依次制备钝化层和铝层，在所述铝层表面使用激光加热技术形成点接触基区电极；所述硅衬底的正表面沉积有非晶层作为太阳能电池的发射区；所述非晶层表面具有透明导电薄膜及其上设置的发射区电极；使用时将每个单元的所述基区电极和所述发射区电极分别通过导线连接用电设备的正极和负极。