[发明专利]发光二极管制造方法无效
| 申请号： | 200810303127.5 | 申请日： | 2008-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101640240A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 张家寿 | 申请（专利权）人： | 富准精密工业（深圳）有限公司;鸿准精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管制造方法，包括以下步骤：提供一发光二极管晶片，于该发光二极管晶片的衬底上形成若干发光二极管晶粒；于发光二极管晶粒的周围形成一保护层；于保护层上沉积一电极层；去除发光二极管晶片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极；去除每一发光二极管晶粒周围的保护层；于每一发光二极管晶粒的外围开设一通槽；提供一基座，将该基座组装于该电极层上；打线、密封及切割。与现有技术相比较，本发明的发光二极管制造方法无须导电架，也无须逐个取放发光二极管晶粒，采用晶片结合法及剥离法使得多个发光二极管晶粒一体式同步封装，制造方法简便且成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管制造方法，包括以下步骤：提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片包括一衬底，于该衬底上形成若干发光二极管晶粒；于发光二极管晶粒的周围形成一保护层；于保护层上沉积一电极层，电极层与每一发光二极管晶粒电连接并作为每一发光二极管晶粒的第一电极；提供一导电板，将该导电板组装于电极层上；去除发光二极管晶片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极；去除每一发光二极管晶粒周围的保护层；于每一发光二极管晶粒的外围开设一通槽，每一通槽上下贯通电极层及导电板；提供一基座，将该基座组装于电极层上，该基座上开设若干通孔，该若干通孔与该若干发光二极管晶粒一一对应，每一发光二极管晶粒收容于相对应的通孔中；把每一发光二极管晶粒的第二电极电连接于电极层上，并向基座的通孔内填充透光材料，该透光材料分别包覆每一发光二极管晶粒；切割使该若干发光二极管晶粒相互分离，每一发光二极管晶粒分别形成一发光二极管，该发光二极管包括一通槽、一电极层及一导电板，发光二极管的通槽使发光二极管的电极层分为相互绝缘的第一部分及第二部分，并使导电板分为相互绝缘的第一外电极及第二外电极。
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