[发明专利]高散热性封装基板的制作方法

摘要

一种高散热性封装基板的制作方法，以铜核基板为基础，开始制作封装基板，其结构包括数个球侧电性接脚接垫、一厚铜蚀刻线路及至少一增层线路。电性接脚接垫与厚铜线路由铜核基板的两面分别蚀刻而成，且各增层线路与厚铜蚀刻线路的连接以数个电镀盲、埋孔所导通。因此利用于厚铜蚀刻线路时能具选择性地保留位于置晶位置下方的厚铜，以及增层线路上所形成的凹槽结构，使芯片能与下方金属接垫直接结合，以提供芯片运作时良好的散热结构，进而有效地增加组件的散热效果；同时，并可以高密度增层线路提供电子组件相连时所需的绕线，因此可有效改善超薄核层基板板弯翘问题及简化传统增层线路板的制作流程。

主权项

【权利要求1】一种高散热性封装基板的制作方法，其特征在于：其至少包含下列步骤：A、提供一铜核基板；B、分别于该铜核基板的第一面上形成第一阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成完全覆盖状的第二阻层，于其中，该第一阻层上形成数个第一开口，并显露其下该铜核基板的第一面；C、于数个第一开口下方形成数个第一凹槽；D、移除该第一阻层及该第二阻层，形成具有第一线路层的铜核基板；E、于数个第一凹槽内形成第一电性阻绝层，并显露该第一线路层；F、于该第一线路层与该第一电性阻绝层上形成第一介电层及第一金属层，于其中，该第一介电层及该第一金属层形成有数个定义置晶位置的中空凹槽，并显露该第一线路层的金属接垫；G、该第一金属层与该第一介电层上形成数个第二开口，并显露其下的第一线路层；H、于该铜核基板的第二面上形成第三阻层；I、于数个第二开口中及数个中空凹槽所显露的第一线路层上形成第二金属层；J、移除该第三阻层；K、分别于该第二金属层上形成一第四阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第五阻层，其中，该第四阻层上形成数个第三开口，并显露其下的第二金属层；L、移除该第三开口下方的第二金属层及第一金属层；M、移除该第四阻层及该第五阻层，并形成一第二线路层。至此，完成一具有铜核基板支撑的双层线路基板，并直接进行步骤N；以及N、于该双层线路基板上进行置晶侧线路层与球侧电性接脚接垫的制作，于其中，在该第二线路层表面形成第一防焊层，且在该第一防焊层上形成数个第四开口，以显露线路增层结构作为电性连接垫的部分，接着再分别于该第一防焊层上形成完全覆盖状的第六阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成第七阻层，并且在该第七阻层上形成数个第五开口，以显露其下该铜核基板的第二面。之后于数个第五开口上形成数个第二凹槽，并显露数个第五开口下方的第一电性阻绝层或第一线路层，接着再移除该第六阻层及该第七阻层，以形成数个柱状接脚，之后并于数个第二凹槽内形成第二电性阻绝层，以显露球侧数个电性接脚接垫，最后，分别于数个第四开口上形成第一阻障层，以及于数个电性接脚接垫上形成第二阻障层，至此，完成一封装基板。