[发明专利]无核层多层封装基板的制作方法有效
申请号: | 200810305365.X | 申请日: | 2008-11-03 |
公开(公告)号: | CN101436550A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 林文强;王家忠;陈振重 | 申请(专利权)人: | 钰桥半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/46 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 何 为 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种无核层多层封装基板的制作方法,是从一铜核基板为基础,开始制作的多层封装基板,其包括具球侧平面电性接脚接垫与至少一增层线路。于其中,各增层线路及置晶侧与球侧连接的方式是以数个电镀盲、埋孔所导通。因此,本发明封装基板的特色在于具有高密度增层线路以提供电子组件相连时所需的绕线。藉此,使用本发明具高密度的增层线路封装基板方法所制造的无核层多层封装基板,可有效改善超薄核层基板板弯翘问题,简化传统增层线路板的制作流程。 | ||
搜索关键词: | 无核 多层 封装 制作方法 | ||
【主权项】:
【权利要求1】一种无核层多层封装基板的制作方法,其特征在于:至少包含下列步骤:A、提供铜核基板;B、分别于该铜核基板的第一面上形成第一阻层,以及于该铜核基板的第二面上形成完全覆盖状的第二阻层,于其中,该第一阻层上形成数个第一开口,并显露其下该铜核基板的第一面;C、于数个第一开口下方形成数个第一凹槽;D、移除该第一阻层及该第二阻层;E、于数个第一凹槽内形成第一电性阻绝层;F、于该铜核基板的第一面与该第一电性阻绝层上形成第一介电层及第一金属层;G、于该第一金属层与该第一介电层上形成数个第二开口,并显露其下的铜核基板的第一面;H、于数个第二开口中及该第一金属层上形成第二金属层;I、分别于该第二金属层上形成第三阻层,以及于该铜核基板的第二面上形成完全覆盖状的第四阻层,于其中,该第三阻层上形成数个第三开口;J、移除该第三开口下方的第二金属层及第一金属层,并形成第一线路层;K、移除该第三阻层及该第四阻层,至此,完成具有铜核基板支撑并具电性连接的单层增层线路基板,并选择直接进行步骤L或步骤M;L、于该单层增层线路基板上进行置晶侧线路层与球侧平面电性接脚接垫的制作,于其中,在该第一线路层表面形成第一防焊层,并且在该第一防焊层上形成数个第四开口,以显露线路增层结构作为电性连接垫的部分,接着再分别于该铜核基板的第二面上形成第五阻层,并且在该第五阻层上形成数个第五开口,以及于该第一防焊层上形成完全覆盖状的第六阻层,之后移除数个第五开口下方的铜核基板,以形成数个第二凹槽,并再移除该第五阻层与该第六阻层,接着于数个第二凹槽中形成第二电性阻绝层,并显露出平面电性连接垫,最后,分别于数个第四开口上形成第一阻障层,以及于该平面电性连接垫上形成第二阻障层,至此,完成具有完整图案化的置晶侧线路层与球侧平面电性连接垫;以及M、于该单层增层线路基板上进行线路增层结构制作,于其中,在该第一线路层与该第一介电层表面形成第二介电层,并且该第二介电层上形成有数个第六开口,以显露其下的第一线路层,接着于该第二介电层与数个第六开口表面形成第一晶种层,再分别于该第一晶种层上形成第七阻层,以及于该铜核基板的第二面上形成完全覆盖状的第八阻层,其中,该第七阻层上形成有数个第七开口,以显露其下的第一晶种层。之后于该第七开口中已显露的第一晶种层上形成第三金属层,最后再移除该第七阻层、该第八阻层及该第一晶种层,以在该第二介电层上形成第二线路层。至此,完成具有铜核基板支撑并具电性连接的双层增层线路基板,并可继续步骤(M)增加线路增层结构,形成具多层的封装基板,亦或直接至该步骤(L)进行置晶侧线路层与球侧平面电性接脚接垫的制作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钰桥半导体股份有限公司,未经钰桥半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810305365.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多烯紫杉醇脂质复合物及其注射用胶束组合物
- 下一篇:可爬台阶的拉杆箱包
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造