[实用新型]主功率管控制电路有效
| 申请号： | 200820000802.2 | 申请日： | 2008-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN201134946Y | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 熊建国;刘鹏;桂佰术;景凯 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B6/06 | 分类号： | H05B6/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尚志峰 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种用于电磁炉的主功率管控制电路，包括开关电路，开关电路包括：整流桥，其输入端连接电源，其输出端连接电磁炉的负载以实现负载功率，整流桥包括单向可控硅；控制电路，其输入端连接操作电路，其输出端连接单向可控硅的控制端，控制电路根据来自操作电路的指令控制单向可控硅的通断。本实用新型的主功率管控制电路，通过控制IGBT工作在市电的半波，实现电磁炉可低功率连续加热，降低了IGBT的开关损耗，延长了IGBT的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 功率管 控制电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于电磁炉的主功率管控制电路，其特征在于，包括开关电路，所述开关电路包括：整流桥，所述整流桥的输入端连接电源，输出端连接所述电磁炉的负载以实现所述负载功率，所述整流桥包括单向可控硅；以及控制电路，所述控制电路的输入端连接操作电路，输出端连接所述单向可控硅的控制端，所述控制电路根据来自所述操作电路的指令控制所述单向可控硅的通断。
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