[实用新型]一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池无效
申请号: | 200820004224.X | 申请日: | 2008-02-01 |
公开(公告)号: | CN201185192Y | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 简永杰;杨茹媛;张育绮;田伟辰 | 申请(专利权)人: | 东捷科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/036 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾台南*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池,包括:一基板,该基板的一面为照光面;一用于取出电能与提升光电转换的效率的透明导电膜,形成于该基板上;一用于产生空穴的非晶硅P型半导体层,形成于该透明导电膜上方;一由非晶硅与结晶硅相互堆栈而成并用以提高太阳能电池的电特性的超晶格半导体层,形成于该P型半导体层上方;一用以提高太阳能电池的电特性的本质型半导体层,该本质型半导体层内具有镶埋结晶硅,形成于超晶格半导体层上方;一用于产生电子的N型半导体层,形成于该本质型半导体层上方;以及一电极,形成于该N型半导体层上方。该超晶格半导体层利用不同材料分薄膜相互堆栈而成,用以提高光电特性,并增加太阳能电池分光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 晶格 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池,其特征在于,包含:一基板,该基板的一面为照光面;一用于取出电能与提升光电转换的效率的透明导电膜,形成于该基板上;一用于产生空穴的非晶硅P型半导体层,形成于该透明导电膜上方;一由非晶硅与结晶硅相互堆栈而成并用以提高太阳能电池的电特性的超晶格半导体层,形成于该P型半导体层上方;一用以提高太阳能电池的电特性的本质型半导体层,该本质型半导体层内具有镶埋结晶硅,形成于超晶格半导体层上方;一用于产生电子的N型半导体层,形成于该本质型半导体层上方;以及一用以取出电能与提升光电转换的效率的电极,形成于该N型半导体层上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东捷科技股份有限公司,未经东捷科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200820004224.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:叶片用夹具和测具的校验量具
- 下一篇:多功能门窗自动关闭装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的