[实用新型]一种提高薄膜沉积质量的电弧离子镀设备无效
| 申请号： | 200820011693.4 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN201183820Y | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 林国强 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 大连八方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 卫茂才 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种提高薄膜沉积质量的电弧离子镀设备属于金属材料表面改性技术领域。其技术解决方案是采用带有稳弧磁场和加长过滤磁场的双磁场结构的弧源，通过设置二级磁场的合理匹配保证等离子体的传输效率，而同时辅以磁过滤通道几何尺寸的优化来提高大颗粒的净化效果，从而达到既保证沉积效率又提高薄膜沉积的质量目的。主要适用于金属材料表面改性领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 薄膜 沉积 质量 电弧 离子镀 设备 | ||
【主权项】：
1.一种提高薄膜沉积质量的电弧离子镀设备，由真空室(1)、真空系统(2)、载物台(3)、阴极弧源(4)、偏压电源(6)、阴极弧源电源(15)、送气控制器(16)和真空计量系统(17)构成，真空系统(2)、送气控制器(16)和真空计量系统(17)与真空室(1)连接，载物台(3)与真空室(1)转动连接，偏压电源(6)与载物台(3)的转轴连接，阴极弧源电源(15)与阴极弧源(4)连接，阴极弧源(4)与真空室(1)连接；阴极弧源(4)是由一级磁场线圈(8)、一级线圈支撑圆筒(9)、二级磁场线圈(10)、二级线圈支撑圆筒(11)和金属阴极靶(7)构成的双电磁场结构，一级线圈支撑圆筒(9)与二级线圈支撑圆筒(11)连接，二级线圈支撑圆筒(11)与真空室(1)上的弧源法兰(12)连接；其特征在于，与金属阴极靶循环水管(13)连接的金属阴极靶(7)固定在与一级线圈支撑圆筒(9)连接的后封法兰(14)上；一级线圈支撑圆筒(9)的内径为Φ120-250mm，长度为40-100mm，一级线圈(8)的缠绕密度为8-30匝/mm，线圈铜线直径为0.5-2mm；二级线圈支撑圆筒(11)的内径为Φ150-300mm，长度为200-400mm，二级线圈(10)缠绕密度为5-20匝/mm，线圈铜线直径为0.5-1.5mm。
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