[实用新型]一种填充式倒梯形微结构高亮度发光二极管有效

专利信息
申请号: 200820027963.0 申请日: 2008-09-09
公开(公告)号: CN201307601Y 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 洪灵愿;潘群峰;林雪娇;陈文欣;吴志强 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 厦门原创专利事务所 代理人: 徐东峰
地址: 361009福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型公开了一种填充式倒梯形微结构高亮度发光二极管,含永久性衬底和外延片,在正置的外延片上蚀刻出的倒圆锥台孔的锥壁上及外延片表面上淀积有介质层,介质层和外延片表面上淀积金属层,金属层淀积有阻挡层,在阻挡层内壁的空间中金属溅射填积有金属填充层;外延片倒置与永久性衬底真空键合连接;在永久性衬底部淀积金属电极,在外延片顶部淀积欧姆接触电极。本实用新型在阻挡层内壁的空间中金属溅射填积有金属填充层,实现外延片与永久性衬底的无缝隙平面键合,解决了外延片与永久性衬底结合力差的问题,以及外延片中蚀刻出的倒圆锥台孔存在空隙容易导致外延片与永久性衬底键合过程易产生裂缝的问题。
搜索关键词: 一种 填充 梯形 微结构 亮度 发光二极管
【主权项】:
1. 一种填充式倒梯形微结构高亮度发光二极管,含永久性衬底和外延片,其特征在于:在正置的外延片上蚀刻出的倒圆锥台孔的锥壁上及外延片表面上淀积有介质层,介质层和外延片表面上淀积金属层,金属层淀积有阻挡层,在阻挡层内壁的空间中金属溅射填积有金属填充层;外延片倒置与永久性衬底真空键合连接;在永久性衬底部淀积金属电极,在外延片顶部淀积欧姆接触电极。
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