[实用新型]三维培养条件下大位移细胞应变加载装置

摘要

本实用新型公开了一种三维培养条件下大位移细胞应变加载装置，将电源连接至双压电晶片电极上，电极位于双压电晶片两侧，与电晶片紧密连接，第三个电极从电晶片中间层铜片引出，双压电晶片固定在基底上，位移传递柱塞后端与双压电晶片的位移输出端固定在一起，前端与连接细胞－支架构成三维复合体的多孔固定材料固定；细胞－支架构成的三维复合体另一侧通过多孔固定材料固定在培养小室壁上，激光探头非接触安装于传递柱塞后端，检测传递柱塞的前后位移。本实用新型能够在不停机的情况下加载振幅、频率，并方便的调节；具有可操作性好，重复精度高，力学加载平稳，误差小，避免了磁场干扰，而且其技术成熟、可输出较大位移。

主权项

1、三维培养条件下大位移细胞应变加载装置，包括双压电晶片驱动电源、双压电晶片驱动部分、细胞培养单元以及激光位移传感器形变检测部分，其特征在于：所述双压电晶片驱动部分包括双压电晶片、电极、电晶片固定装置、传递柱塞、多孔固定材料；细胞培养单元由基底和培养小室构成；激光位移传感器形变检测部分包括激光探头和计算机；电源通过驱动线连接至双压电晶片驱动部分的电极上，电极位于双压电晶片的两侧，与电晶片紧密连接，第三个电极从电晶片中间层铜片引出；通过电晶片固定装置将双压电晶片固定在基底上，位移传递柱塞后端与双压电晶片的位移输出端固定在一起，前端与连接细胞--支架构成的三维复合体的多孔固定材料固定；细胞--支架构成的三维复合体位于培养小室底部中央位置，左右分别连接多孔固定材料，一侧的多孔固定材料固定在培养小室壁上，另一侧的多孔固定材料与位移传递柱塞固定连接；激光探头非接触安装于传递柱塞后端，与计算机相连，检测传递柱塞的前后位移。