[实用新型]双口RAM实现闪存控制器缓存的结构无效
| 申请号： | 200820029551.0 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN201218944Y | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 刘升;李喜军;王永强 | 申请（专利权）人： | 西安奇维测控科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人： | 康 凯 |
| 地址： | 710077陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种双口RAM实现高速闪存控制器缓存的结构，包括IDE接口控制逻辑、IDE寄存器、IDE缓存区、处理器、Flash接口控制逻辑、Flash缓存区以及FPGA外围电路，其中IDE寄存器与IDE缓存区构成一个IDE接口缓存区，IDE接口缓存区和Flash缓存区均包括两个完全独立的控制口。本实用新型可实现随机地址读写，数据读写的效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 双口 ram 实现 闪存 控制器 缓存 结构 | ||
【主权项】：
1.一种双口RAM实现高速闪存控制器缓存的结构，包括IDE接口控制逻辑、IDE寄存器、IDE缓存区、处理器、Flash接口控制逻辑、FLASH缓存区以及FPGA外围电路，其特征在于：其中IDE寄存器与IDE缓存区构成一个IDE接口缓存区，所述IDE接口缓存区包括两个完全独立的控制口；所述IDE接口控制逻辑通过其中一个控制口与IDE接口缓存区连接，所述处理器通过另一个控制口与IDE接口缓存区连接；所述FLASH缓存区也包括两个完全独立的控制口；所述Flash接口控制逻辑通过FLASH缓存区的其中一个控制口与FLASH缓存区连接，所述处理器通过另一个控制口与FLASH缓存区连接。
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