[实用新型]全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳无效

专利信息
申请号: 200820032047.6 申请日: 2008-03-12
公开(公告)号: CN201134424Y 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 徐宏伟;张峰;耿建标 申请(专利权)人: 江阴市赛英电子有限公司
主分类号: H01L23/02 分类号: H01L23/02;H01L23/04;H01L23/08
代理公司: 江阴市同盛专利事务所 代理人: 唐纫兰
地址: 214432江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳,适合用做全压接式的大功率IGBT器件的封装外壳。包括大阳法兰(1)、瓷环(2)、小阳法兰(3)、模架群(5)、阴极插片(4)和门极引线管,大阳法兰(1)、瓷环(2)和小阳法兰(3)上下叠合同心封接,模架群(5)封接于小阳法兰(3)的中心孔内,所述模架群(5)包含有若干个二极管芯片模架(5-1)和多个IGBT芯片模架(5-2),所述阴极插片(4)插置于小阳法兰(3)的外壁面上,所述门极引线管穿接于瓷环(2)的壳壁上,门极引线管由门极导电芯(9)、门极外套(6)、门极密封罩(8)、门极外插片(7)和门极内插片(10)组成。本实用新型全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳,既可以提高散热效果,又可以将器件体积做得较小。
搜索关键词: 全压接式 大功率 igbt 多模架 陶瓷 管壳
【主权项】:
1、一种全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳,其特征在于所述管壳包括大阳法兰(1)、瓷环(2)、小阳法兰(3)、模架群(5)、阴极插片(4)和门极引线管,所述大阳法兰(1)、瓷环(2)和小阳法兰(3)上下叠合同心封接,模架群(5)封接于小阳法兰(3)的中心孔内,所述模架群(5)包含有若干个二极管芯片模架(5-1)和多个IGBT芯片模架(5-2),所述阴极插片(4)插置于小阳法兰(3)的外壁面上,所述门极引线管穿接于瓷环(2)的壳壁上,门极引线管包括门极导电芯(9)、门极外套(6)、门极密封罩(8)、门极外插片(7)和门极内插片(10),门极导电芯(9)穿接于瓷环(2)的壳壁上,门极导电芯(9)外端露出瓷环(2)外,门极导电芯(9)内端置于瓷环(2)内,门极外套(6)套置于门极导电芯(9)上,门极密封罩(8)封装于门极导电芯(9)和门极外套(6)的外端,门极外插片(7)套接于门极密封罩(8)上,门极内插片(10)向上套接于门极导电芯(9)内端。
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