[实用新型]改善沟槽功率MOS器件栅电极金属层粘附性的结构有效
| 申请号： | 200820033186.0 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN201181707Y | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;秦旭光 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215021江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种改善沟槽功率MOS器件栅电极金属层粘附性的结构，从截面上看，该结构制造层自上而下依次设有栅电极金属层、绝缘介质层、绝缘栅氧化层、第一导电类型掺杂层以及第二导电类型外延层，其特征在于：在沟槽型导电多晶硅正上方的绝缘介质层上开有接触孔或设有凹陷，使栅电极金属层从该接触孔或凹陷中向下延伸形成层间楔和。由于栅电极金属层与绝缘介质层层间结合面之间存在楔和，因此提高了栅电极金属层的粘附力，可以有效防止栅电极金属层在铜引线压焊过程中因存在拉拔力而造成的剥落。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 沟槽 功率 mos 器件 电极 金属 粘附 结构 | ||
【主权项】：
1、一种改善沟槽功率MOS器件栅电极金属层粘附性的结构，从截面上看，该结构自上而下包含栅电极金属层、绝缘介质层、绝缘栅氧化层、第二导电类型掺杂层以及第一导电类型外延层，其特征在于：在栅电极金属层下方的绝缘介质层上开有接触孔，栅电极金属层从该接触孔中向下延伸至导电多晶硅顶部，并与导电多晶硅直接相连；所述导电多晶硅淀积于沟槽中，该沟槽位于第二导电类型掺杂层，沟槽底部伸入第一导电类型外延层，沟槽内壁表面生长有绝缘栅氧化层，沟槽内淀积有导电多晶硅。
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