[实用新型]半导体制冷性能实验装置无效

专利信息
申请号: 200820039267.1 申请日: 2008-08-19
公开(公告)号: CN201266139Y 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: 王铁军;李彦军 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: G01M19/00 分类号: G01M19/00;G09B25/02
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 代理人: 何梅生
地址: 230009*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 半导体制冷性能实验装置,其特征是半导体热堆的冷端吸热器置于封闭的冷箱中,热端置于冷却水箱,冷却水箱中通入有循环冷却水;以直流稳压电源为半导体热堆提供工作电压,在半导体热堆的电源回路中设置电压表V和电流表A,并在冷箱中设置热电偶构成的测量系统;由PLC可编程控制器和MOS开关管构成控制电路,以热电偶为控制电路的信号检测器件,以MOS开关管为控制电路的执行器件;计算机通过RS232端口与PLC可编程控制器连接,分别采集系统中的检测数据和设定数据。本实用新型能满足不同工况半导体制冷性能测试、研究和教学实验的需要。
搜索关键词: 半导体 制冷 性能 实验 装置
【主权项】:
1、一种半导体制冷性能实验装置,其特征是具有:一半导体热堆(7),所述半导体热堆的冷端吸热器(11)置于封闭的冷箱(8)中,热端置于冷却水箱(6),冷却水箱(6)中通入有循环冷却水;一直流稳压电源,以所述直流稳压电源(3)为半导体热堆(7)提供工作电压,在所述半导体热堆(7)的电源回路中设置电压表V和电流表A,并在所述冷箱(8)中设置热电偶(10)构成的测量系统;一控制电路,由PLC可编程控制器(14)和MOS开关管(13)构成,以所述热电偶(10)为控制电路的信号检测器件,以所述MOS开关管(13)为控制电路的执行器件;一计算机(15),所述计算机(15)通过RS232端口与PLC可编程控制器(14)连接,分别采集系统中的检测数据和设定数据。
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