[实用新型]树形GaN基LED芯片电极无效
| 申请号： | 200820039405.6 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN201266611Y | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 曾祥华;张俊兵 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 张荣亮 |
| 地址： | 225009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种树形GaN基LED芯片电极，属于LED芯片技术领域，主要特点是P型电极的P型焊盘和N型电极的N型焊盘分别设置在芯片一对角线的两顶角部位，自P型焊盘的条形电极沿芯片对角线呈树形分布，自N型焊盘的条形电极沿芯片四周边缘，并有条形电极伸向芯片内部，本实用新型结合了环形电极和条形电极的优点，P型和N型电极相互交叉平行排列，不仅缩短电流的传输距离，且不同电极之间距离相等，增加了电流分布的均匀性，提高了载流子的复合效率，增加了光的提取，减少了转化为内部热能的损耗，提高了芯片的出光效率，改善了芯片的光电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 树形 gan led 芯片 电极 | ||
【主权项】：
1、一种树形GaN基LED芯片电极，包括P型电极和N型电极，对GaN外延片进行台面刻蚀，形成P型GaN台面和N型GaN沟槽，在P型GaN表面生长一层导电薄膜，再在导电薄膜上淀积P型电极，或者直接在P型GaN表面淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，其特征是，P型电极的P型焊盘和N型电极的N型焊盘分别设置在芯片一对角线的两顶角部位，自P型焊盘的条形电极沿芯片对角线呈树形分布，自N型焊盘的条形电极沿芯片四周边缘，并有条形电极伸向芯片内部。
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