[实用新型]特高二次击穿的大功率晶体管无效
| 申请号： | 200820040209.0 | 申请日： | 2008-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN201222494Y | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 龚利汀;钱晓平;龚利贞 | 申请（专利权）人： | 无锡固电半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/495 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体晶体管技术领域，具体涉及到一种特高二次击穿的大功率晶体管。本实用新型的目的是这样实现的：在引线框上利用焊料浸润性优异的Sn96Ag4低温焊料焊接管芯，在引线框的下面引出位于左侧的基极、位于中间的集电极与位于右侧的发射极。本实用新型在关键的装片工艺中消除了热缺陷，消除了“空洞”，提高了焊料与框架的浸润性，从而制造出特高二次击穿的大功率晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 击穿 大功率 晶体管 | ||
【主权项】：
1、特高二次击穿的大功率晶体管，包括引线框(3)与管芯(1)，其特征是：在引线框(3)上利用Sn96Ag4低温焊料(2)焊接管芯(1)，在引线框(3)的下面引出位于左侧的基极(6)、位于中间的集电极(5)与位于右侧的发射极(4)。
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