[实用新型]耐高压恒流源器件无效
申请号: | 200820049689.7 | 申请日: | 2008-06-24 |
公开(公告)号: | CN201222500Y | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 吴纬国 | 申请(专利权)人: | 广州南科集成电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/36;H01L29/41 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510663广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种可直接应用于交流电源及直流电源的具有过流过压保护功能的耐高压恒流源器件。本实用新型包括P型硅衬底(1)、氧化层(6)、漏极金属(2)、源极金属(3)、栅极金属(4)、P+衬底接触区(51)、N+漏区(52)、N+源区(53),连接N+漏区(52)与N+源区(53)的N-通道区(54),将N+漏区(52)包围起来的N-漏区(92),漏极金属(2)填充漏极通孔(82)并与N+漏区(52)相连接,源极金属(3)填充源极通孔(83)并分别与N+源区(53)、P+衬底接触区(51)相连接,源极金属(3)、栅极金属(4)通过连接金属(34)相电连接。本实用新型可广泛应用于电子领域。 | ||
搜索关键词: | 高压 恒流源 器件 | ||
【主权项】:
1、一种耐高压恒流源器件,包括P型硅衬底(1),形成于所述硅衬底(1)正面的氧化层(6),位于所述氧化层(6)正面的漏极金属(2)、源极金属(3)、栅极金属(4),其特征在于:所述耐高压恒流源器件还包括植入到所述硅衬底(1)中的P+衬底接触区(51)、N+漏区(52)、N+源区(53),连接所述N+漏区(52)与所述N+源区(53)之间的N-通道区(54),将所述N+漏区(52)包围起来的N-漏区(92),所述氧化层(6)上有若干个漏极通孔(82)、源极通孔(83),所述漏极金属(2)填充若干个所述漏极通孔(82)并与所述N+漏区(52)相连接,所述源极金属(3)填充若干个所述源极通孔(83)并分别与所述N+源区(53)、所述P+衬底接触区(51)相连接,所述源极金属(3)、所述栅极金属(4)通过连接金属(34)相电连接。
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