[实用新型]一种高导通电压正装LED集成芯片无效
| 申请号： | 200820051161.3 | 申请日： | 2008-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN201262957Y | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 吴俊纬 | 申请（专利权）人： | 广州南科集成电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L23/36;H01L23/488 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510663广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种成本低、易于集成、散热效果好、耐高压性能好的高导通电压正装LED集成芯片。本实用新型包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，所述硅衬底(2)的正面生成有导热绝缘层，所述导热绝缘层上沉积有金属层(6)，若干个所述LED裸芯片(1)正装在各所述金属层(6)上并通过所述金属层(6)相连接组成电路，所述金属层(6)引出阳极接点(80)和阴极接点(81)。本实用新型可广泛应用于LED集成芯片领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 压正装 led 集成 芯片 | ||
【主权项】：
1、一种高导通电压正装LED集成芯片，包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，其特征在于：所述硅衬底(2)的正面生成有导热绝缘层，所述导热绝缘层上沉积有金属层(6)，若干个所述LED裸芯片(1)正装在各所述金属层(6)上并通过所述金属层(6)相连接组成电路，所述金属层(6)引出阳极接点(80)和阴极接点(81)。
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