[实用新型]多晶硅制造装置有效
| 申请号： | 200820056087.4 | 申请日： | 2008-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN201162064Y | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 河野贵之;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 上海汉虹精密机械有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 200444上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开的多晶硅制造装置，包括一腔体；位于所述的腔体内的坩埚，所述的坩埚用于装入硅；位于所述腔体内且设置在所述坩埚四周的隔热材料；设置在所述隔热材料内并位于所述的坩埚侧面的侧面加热器；其特征在于，在所述隔热材料内，且位于坩埚上方顶部的顶部加热器，所述侧面和顶部加热器对装入所述的坩埚内的硅进行加热；以及所述的侧面和顶部加热器与一控制电路连接，所述的控制电路控制所述的加热器的输出。本实用新型在使用坩埚制造具有单向凝固组织的硅锭时，通过控制电路能够对侧面和顶部加热器进行控制，保证坩埚底部的多晶硅开始凝固时，坩埚上部及顶部的多晶硅仍处于熔融状态，以有效实施单向凝固。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 装置 | ||
【主权项】：
1.多晶硅制造装置，包括：一腔体；位于所述的腔体内的坩埚，所述的坩埚用于装入硅；位于所述腔体内且设置在所述坩埚四周的隔热材料；设置在所述隔热材料内并位于所述的坩埚侧面的侧面加热器；其特征在于，在所述隔热材料内，且位于坩埚上方顶部的顶部加热器，所述侧面和顶部加热器对装入所述的坩埚内的硅进行加热。
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