[实用新型]半导体刻蚀设备的上部电极无效
| 申请号： | 200820060516.5 | 申请日： | 2008-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN201181693Y | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 刘东升 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/00;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/24 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体刻蚀设备的上部电极内部具有多个通气孔，通气孔均匀分布在以上部电极中心为圆心的多个圆周上，通气孔为一个上圆柱孔与至少一个下圆柱孔的组合形通道，其中上圆柱孔直径大于下圆柱孔直径。一种优选方式是，通气孔为一个上圆柱孔与一个下圆柱孔的组合形通道，上圆柱孔与下圆柱孔为同心圆柱孔，在上部电极的一个直径上，通气孔随着与上部电极中心距离的增大，其上圆柱孔的深度增大。另一种优选方式是，通气孔为一个上圆柱孔与多个下圆柱孔的组合形通道，在上部电极的一个直径上，通气孔随着与上部电极中心距离的增大，其上圆柱孔的直径增大，下圆柱孔的数量增多。本实用新型改善刻蚀均一性，延长了使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 设备 上部 电极 | ||
【主权项】：
1、一种半导体刻蚀设备的上部电极，内部具有多个通气孔，所述的通气孔均匀分布在以所述上部电极中心为圆心的多个圆周上，其特征在于，所述的通气孔为一个上圆柱孔与至少一个下圆柱孔的组合形通道，其中上圆柱孔直径大于下圆柱孔直径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
