[实用新型]抑制静磁场低频磁场干扰的屏蔽室无效
| 申请号： | 200820114402.4 | 申请日： | 2008-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN201248228Y | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张睿霦;何凡 | 申请（专利权）人： | 北京京地磁应用研究所 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种能够抑制静磁场和低频磁场干扰的屏蔽室。属于空间物理技术领域，特别涉及抑制电磁干扰的工程技术专业。它的框架采用木质材料，为减少材料的消耗，内外面由硅钢片循环包镶；相邻硅钢片之间的接缝叠压2cm，接缝叠压除拐角用钉铆外，其余部分均采用胶带贴合，降低费用且不扰乱原材料的晶格结构和性能；门口延伸成门道，便于通风且降低“漏磁”；硅钢片和铝板包(镶)完成后，需要木质板密集排列向壁腔方向挤压铆实，再加非金属材料装饰层，使整个硅钢片和铝板结构形成密封，利于导磁通路且防止金属氧化。本屏蔽室营造了一个磁场既弱又均匀而且范围较大的三维空间。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 磁场 低频 干扰 屏蔽 | ||
【主权项】：
1. 一种屏蔽室，为六面合围空腔立方体，其特征是：屏蔽室骨架采用纯木质榫卯结构，其内、外面由宽90cm～100cm的整条硅钢片交错包镶组成。
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