[实用新型]熔断器底座无效
| 申请号： | 200820118752.8 | 申请日： | 2008-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN201307575Y | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 翁国钱 | 申请（专利权）人： | 翁国钱 |
| 主分类号： | H01H85/20 | 分类号： | H01H85/20;H01H85/22 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 申 健 |
| 地址： | 325604*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种熔断器底座，属于低压熔断器技术领域，为解决现有技术中熔断器底座分合闸时操作笨重的问题而设计。所述熔断器底座，包括壳体，所述壳体中部铰接有载熔件，所述载熔件上设有放置熔断件的腔体，在所述腔体两侧对应设置有熔断件插座；在所述熔断器底座的两侧分别设置有与所述熔断件插座相连接的接线座。本实用新型特别适用于需要短路保护的电路。 | ||
| 搜索关键词： | 熔断器 底座 | ||
【主权项】：
1、一种熔断器底座，其特征在于，包括壳体，所述壳体中部铰接有载熔件，所述载熔件上设有放置熔断件的腔体，在所述腔体两侧对应设置有熔断件插座；在所述熔断器底座的两侧分别设置有与所述熔断件插座相连接的接线座。
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