[实用新型]一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层均匀硒化装置有效
申请号: | 200820124582.4 | 申请日: | 2008-12-25 |
公开(公告)号: | CN201332103Y | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 古宏伟;屈飞;杨发强 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱印康 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层均匀硒化装置,属太阳能电池材料领域。装置由硒化腔和上盖两部分组成,两部分均用石英加工而成,并通过磨口密封。样品放置于硒化腔内的石英隔板中心的样品窗口上,冷却颈和上盖石英壁上的小孔通过焊接连接,冷却颈和冷却管相接。本实用新型为单区加热硒化装置,能够提供充足的硒原子,其特点是,在样品窗口周围的多个平衡孔释放部分硒蒸气,使样品表面硒蒸气分布均匀,获得均匀硒化的太阳能薄膜电池光吸收层。本实用新型可与其它真空退火装置配合使用,不需要专用的抽气系统和加热系统,且硒化过程不需要通入载气,通用性强,结构简单,用于铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层硒化工艺。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜铟硒基 太阳能 薄膜 电池 光吸收 均匀 化装 | ||
【主权项】:
1.一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层均匀硒化装置,其特征在于,所述铜铟硒锡基太阳能薄膜电池光吸收层均匀硒化装置由硒化腔和上盖两部分组成,硒化腔由硒化腔石英壁(8),石英隔板(9),石英舟(12)构成,石英隔板(9)放置在硒化腔石英壁(8)中部的内平台上,硒化腔石英壁(8)的底部为环形的石英舟(12),石英隔板(9)中心开一个样品窗口(10)作为样品架,样品(7)在样品窗口(10)处放置于石英隔板(9)上,在样品窗口(10)周围有10~30个平衡孔(11),硒化腔石英壁(8)上端外侧面为磨砂面,真空设备加热器置于石英舟(12)之下;上盖部分由上盖石英壁(13)、冷却颈(14)和冷却管(15)三部分组成,冷却颈(14)和上盖石英壁(13)上的小孔通过焊接连接,冷却颈(14)和冷却管(15)相接,上盖石英壁(13)开口端内侧面为磨砂面,冷却管(15)的另一端为真空抽气口(16),与真空系统相接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院,未经北京有色金属研究总院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200820124582.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:智能多振子微波平板天线
- 下一篇:理直元器件弯曲引线装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的