[实用新型]衬底承载板和沉积设备有效
| 申请号： | 200820125314.4 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN201266602Y | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | M·库诺;K·阿库拉蒂;A·齐默曼;R·杰维斯 | 申请（专利权）人： | ABB技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/00;C23C16/458;C23C16/44;C23C16/26 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种衬底承载板和沉积设备。衬底(4)安装到衬底承载板(3)的抬高的衬底支撑体(31)上。然后，具有衬底的衬底承载板放置到等离子反应器(8)中。由于抬高的衬底支撑体，衬底的两个相对面暴露于等离子体(6)，并且因此被包覆有电钝化层(7)。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 承载 沉积 设备 | ||
【主权项】：
1. 一种衬底承载板(3)，用于在等离子体反应器室中的硅片(4)的表面上沉积电钝化层(7)的沉积工艺期间承载硅片(4)，其特征在于，所述衬底承载板(3)包括用于承载硅片(4)的抬高的衬底支撑体(31)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
