[实用新型]改善HAC特性的多频段单极天线有效

专利信息
申请号: 200820135974.0 申请日: 2008-09-27
公开(公告)号: CN201319403Y 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 汤嘉伦 申请(专利权)人: 耀登科技股份有限公司
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q5/00;H01Q9/04;H01Q9/30;H01Q21/30
代理公司: 北京天平专利商标代理有限公司 代理人: 孙 刚
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种改善HAC特性的多频段单极天线,主要具有一对激励出高频段的第一及第二金属辐射体,且两者以相互平行且走向相同而设置;另一曲折绕线部连接于该第一及第二金属辐射体的同侧之间,且激励出低频段。该曲折绕线部的电路径长度略大于该高频段的λ/2,使该馈入端与该连接端的电流相位差约为π(180度);该第一及第二金属辐射体下方部份,两者产生的电场大小相近、相位相反,磁场亦同,而第一及第二金属辐射体激发的反相位电磁波到达HAC测试面上发生破坏性干涉,从而,可改善该多频段单极天线的HAC特性。
搜索关键词: 改善 hac 特性 频段 单极 天线
【主权项】:
1.一种改善HAC特性的多频段单极天线,其特征在于,包括:一对用以分别激励出高频段的第一及第二金属辐射体,两者相间且走向相同设置;该第一金属辐射体具有一馈入端,而该第二金属辐射体具有一连接端,该馈入端与连接端位于相同侧缘;及一用以激励出低频段的曲折绕线部,其一末端连接于该第一金属辐射体的馈入端,另一末端连接于该第二金属辐射体的连接端,该曲折绕线部位在该第一及第二金属辐射体的同侧;其中该曲折绕线部的电路径长度大于该高频段的λ/2,该馈入端与该连接端的电流相位差为π。
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